Panoramica
G.Skill Aegis rappresenta la soluzione di memoria DDR5 ideale per chi ricerca un equilibrio tra performance e affidabilità. Con capacità totale di 32GB (2 moduli da 16GB), velocità testate di 6000MHz e latenze ottimizzate (CAS 36), questa memoria è progettata per sfruttare appieno le potenzialità dei processori moderni Intel e AMD. Supporta sia Intel XMP 3.0 che AMD EXPO, garantendo un overclock stabile e facile da configurare.
Caratteristiche principali
- Capacità: 32GB totali (2 x 16GB) - formato 288-pin DIMM
- Velocità: 6000MHz (SPD: 4800MHz) con latenza true di 12ns
- CAS Latency: 36 - timing tRAS 96, tRCD 36, tRP 36
- Supporto: Intel XMP 3.0 e AMD EXPO per profile automatici
- Stabilità: B-Die Samsung con tensione di 1.35V
- Altezza: 33mm - compatibile con dissipatori di grandi dimensioni
- Generazione: DDR5 - tecnologia memory di quinta generazione
Perché scegliere G.Skill Aegis DDR5
Questa memoria è perfetta per chi costruisce o aggiorna un gaming rig moderno, una workstation per content creation (video editing, 3D rendering) o un sistema per applicazioni professionali ad alte prestazioni. I profili XMP/EXPO preconfigurati eliminano la necessità di configurazioni manuali complesse, rendendola ideale sia per utenti esperti che per builder meno avvezzi all'overclock. I timing aggressivi a 6000MHz offrono vantaggi tangibili in gaming (FPS superiori) e in multitasking pesante (rendering, compilazione codice, virtualizzazione).
Specifiche tecniche
| Specifica | Valore |
|---|
| Capacità totale | 32GB (2 x 16GB) |
| Tipo di memoria | DDR5 SDRAM |
| Velocità (Tested) | 6000MHz |
| Velocità SPD | 4800MHz |
| CAS Latency | CL36 |
| Latenza true | 12ns |
| Timing (tRAS/tRCD/tRP) | 96 / 36 / 36 |
| Form Factor | 288-pin DIMM |
| Altezza | 33mm |
| Tensione | 1.35V |
| Chip Memory | Samsung B-Die |
| Profili overlock | Intel XMP 3.0, AMD EXPO |
| EAN | 4713294237279 |
