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Samsung 9100 PRO
Samsung 9100 PRO
SAMSUNG

Samsung 9100 PRO

Codice: 8806095811659 EAN: 8806095811659
Samsung 990 PRO 4TB SSD M.2 NVMe PCIe 5.0 con crittografia hardware 256-bit AES. Velocità fino a 14.800 MB/s lettura, perfetto per gaming e workstation professionali.
924,76 €
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Panoramica

Il Samsung 990 PRO è un SSD M.2 NVMe di ultima generazione da 4TB, progettato per chi cerca prestazioni estreme senza compromessi. Con interfaccia PCIe 5.0 e memoria V-NAND TLC, offre velocità di lettura sequenziale fino a 14.800 MB/s e velocità di scrittura di 13.400 MB/s, rendendolo ideale per professionisti creativi, content creator e gamer esigenti. La capacità di 4TB lo rende perfetto per archiviare librerie di giochi, progetti video 4K/8K e database di grandi dimensioni.

Caratteristiche principali

  • Velocità PCIe 5.0: 14.800 MB/s lettura, 13.400 MB/s scrittura, fino a 2.600.000 IOPS casuali in scrittura
  • Crittografia hardware: Supporto 256-bit AES integrato per protezione dati avanzata
  • Capacità: 4TB di storage, formato M.2 2280 (22 x 80 mm)
  • Memoria V-NAND TLC: Affidabilità certificata con MTBF 1.500.000 ore
  • Efficienza energetica: Consumo medio in lettura 9W, standby DevSlp a 5,7mW per laptop e system compatti
  • Garanzia 5 anni: Protezione estesa sul prodotto
  • Supporti avanzati: S.M.A.R.T., TRIM, DevSlp, NVMe 2.0 compliant

Perché scegliere Samsung 990 PRO 4TB

Questo SSD è la scelta ideale per content creator che lavorano con file video 4K/8K, gamer competitivi che vogliono ridurre i tempi di caricamento, professionisti che utilizzano software di editing pesante, e utenti che costruiscono PC high-end. La crittografia hardware integrata lo rende adatto anche a chi gestisce dati sensibili, mentre il consumo energetico ottimizzato lo mantiene freddo anche durante sessioni di lavoro intense. Le operazioni casuali veloci (2.200.000 IOPS lettura) garantiscono prestazioni fluide anche con migliaia di file piccoli.

Specifiche tecniche

ParametroValore
Capacità4TB
InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0)
FormatoM.2 2280 (22 x 80 mm)
MemoriaV-NAND TLC
Velocità lettura sequenziale14.800 MB/s
Velocità scrittura sequenziale13.400 MB/s
IOPS lettura casuale (4KB)2.200.000
IOPS scrittura casuale (4KB)2.600.000
Crittografia256-bit AES hardware
Consumo energia (lettura)9W
Consumo energia (scrittura)8,2W
Consumo standby (DevSlp)5,7mW
Temperatura di funzionamento0-70°C
MTBF1.500.000 ore
Garanzia5 anni
Dimensioni80,2 x 8,88 x 80,2 mm
Peso30g
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